【米兰·(milan)中国官方网站】根据市场研究机构Counterpoint Research发布的最新内存半导体数据，三星预计将在明年的高带宽内存（HBM）市场中实现超过30%的市场份额。虽然今年上半年三星在该领域表现不佳，落后于SK海力士和美国美光科技，但分析师预测，随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链，三星的销量将显著增长。

三星

数据显示，今年第二季度，SK海力士以62%的市场份额领跑HBM市场，美光以21%位居第二，而三星电子则以17%的份额排名第三。这意味着全球每10个HBM产品中，有8个由韩国企业生产。Counterpoint指出，虽然三星在第二季度的市场份额低于预期，但明年其份额将突破30%，这主要得益于公司即将获得主要客户对HBM3E产品的认证，以及基于HBM4的出口能力提升。

三星HBM4

据CNMO了解，三星已推出其10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，该工艺比HBM4领先一步，并与其4纳米晶圆代工工艺相结合。今年7月，公司使用1c纳米工艺完成了HBM4的开发，并向主要客户发送了样品，预计年底前实现大规模生产。据悉，三星开发的HBM4通过提高单元集成密度，将能效比前代产品提升40%，数据处理速度达到11Gbps。随着开发完成，公司近期还重启了平泽第五工厂（P5）的建设，以实施“规模经济”战略。

Counterpoint预计，当HBM4发布时，韩国企业在HBM市场的主导地位将进一步巩固。目前，领先的SK海力士已完成HBM4开发，并建立了大规模生产体系。如果通过质量测试，该产品有望被纳入英伟达下一代人工智能（AI）图形处理单元（GPU）Rubin的供应链，后者计划于明年年底量产。韩媒指出，中国企业正试图通过开发HBM产品追赶技术差距，但由于技术难度较高，尚未能实现有效落地。

版权所有，未经许可不得转载